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NTTFS5116PL
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
40
30
20
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V GS = 4 V
30
20
V DS ≥ 10 V
10
V GS = 3.5 V
10
T J = 25 ° C
0
0
V GS = 3 V
1 2 3 4
5
0
2
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
3 4 5
6
0.075
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.080
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.065
0.055
I D = ? 6 A
T J = 25 ° C
0.070
0.060
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.050
0.045
0.040
V GS = 10 V
0.035
2
4 6 8
10
0.030
5
10
15 20 25 30
35
40
2.0
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
10,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
I D = ? 4.4 A
V GS = 4.5 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1.0
0.8
1,000
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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